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芯聯動力完成近20億元人民幣C輪融資,估值達20億美元

融资丨估值20亿美元,芯联动力完成近20亿人民币C轮融资

AI 導讀

芯聯動力完成近20億元人民幣C輪融資,融資後估值達到20億美元。本輪由中國移動鏈長基金領投,多家產業資本參與;公司碳化硅業務位列中國第一、全球前五,約佔全球5%市場份額。本輪股東結構擴展至AI基礎設施領域,文章指出AI服務器電源將成為公司下一階段戰略重點。

正文

近日,全球领先化合物半导体企业芯联动力宣布完成近20亿元人民币规模C轮融资。本轮融资由中国移动链长基金领投,浪潮信息、元璟资本、中石化氢能基金、北方华创诺华资本、江丰电子、常州星宇、凯辉基金、普超资本、建信股权、中信金石、中信证券、银河源汇等战略投资方联合投资。

公开资料显示,芯联动力由科创板上市公司芯联集成控股,是全球领先的化合物半导体制造及模组封装的一站式系统解决方案提供者,专注碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体及模组封装的设计、研发、生产和销售,公司碳化硅业务位列中国第一、全球前五,占全球约5%市场份额。

本轮融资完成后,芯联动力估值已达到20亿美元,公司股东已覆盖通信、算力、电网、新能源及汽车等领域产业资本。

“明星阵容”产业方进场

深度绑定新能源及AI产业资本巨头

碳化硅、氮化镓等化合物半导体正是新能源汽车、光伏储能、AI算力等战略性新兴产业的关键基础器件。芯联动力此轮融资获得多家相关领域的头部产业资本投资,备受市场关注。

在此前的多轮融资中,芯联动力的产业股东阵容已经“星光熠熠”,且每轮融资都有一部分公司业务合作伙伴从“客户”成为其产业方“股东”,上汽、小鹏、小米、东风、徐工集团与汽车百人会,以及博世集团、宁德时代、阳光电源、舍弗勒、豫信电科等汽车与新能源产业方均有投资芯联动力。

与前三轮相比,芯联动力本轮股东结构的显著变化在于其产业资本投资方从以汽车领域为主,扩展至AI基础设施领域,清晰显示出芯联动力选择股东的逻辑——寻求新能源及AI两大产业及生态巨头的深度绑定,多家AI基础设施领域产业资本入局也标志着AI服务器电源将成为芯联动力下一阶段战略重点。

“投资是纽带,产品与业务的协同合作才是本质。融资的过程同时也是业务合作深化的过程,先建立业务合作关系、再顺理成章地引入资本。通过这个纽带,各方实现了更紧密、更高效的产业协同。”芯联动力董事长袁锋表示。

芯联动力定义自身并非一个简单的芯片提供者,而是中国领先终端企业在技术创新道路上最坚实的“技术共研者”。基于与下游客户需求的直接联接,芯联动力把客户对产品性能的诉求深入翻译为系统方案,依托全球领先的工艺制造平台,为客户提供一站式解决方案,从而凝聚起攻克系统级芯片国产化的合力。

凭借这一模式创新,芯联动力在短时间内集结了中国半导体“超过半壁江山”的力量,探索出一条中国特色的产业发展路径——以“资本+产业”的联合力量打通从芯片设计、制造到终端应用的完整产业链生态。

“从新能源汽车供电到AI供电,能源与算力的基础设施正在同步跃迁,芯联动力将把握这一历史性机遇,与产业伙伴共同走向世界,成为全球领先的化合物半导体企业。”袁锋表示。

三年时间销量增长约十倍

碳化硅功率模块国内装机量居首

从零起步到中国市场第一,芯联动力用了不到三年时间实现销量增长约十倍。

据Yole发布的2025年报告,芯联动力碳化硅业务位列中国第一、全球前五,占全球约5%市场份额。在碳化硅功率模块细分领域,2026年有望升至全球第四。据NE时代统计,2026年上半年公司碳化硅功率模块国内装机量以16.9%的份额位居第一。在汽车领域,芯联动力2026年上半年获得近60个新的定点项目,全年预计达140个项目。

行业分析认为,芯联动力在全球领先的碳化硅产品的性能优势正加速释放——在汽车领域,碳化硅在800V高压平台持续渗透,应用边界进一步延伸,与硅基方案相比,碳化硅可降低电驱及整车能耗,由此,在相同电池容量下可延长续航,或在相同续航目标下减少电池等部件配置,并降低整车系统成本。同时,AI数据中心供电架构正从传统供电向高压直流及固态变压器演进,碳化硅器件在高压、高频场景的优势扩大,高于3kW的高功率服务器电源(PSU)占比预计将达80%,相关市场被视为下一个千亿元级市场。在光伏与储能领域,碳化硅渗透率由2024年的9.7%提升至15.4%,搭载碳化硅器件的逆变器最高转换效率可达98%以上。

芯联动力控股股东芯联集成是国内领先的车规级功率芯片及模组和数模混合高压模拟芯片制造企业,拥有完整的车规级功率器件与高压模拟芯片研发量产平台,借助芯联集成在大规模晶圆制造领域的积累,芯联动力在制造端迅速实现八寸碳化硅量产,使公司碳化硅产品在成本和性价比上具备显著竞争力。

据了解,芯联动力已覆盖650V至3300V全电压段碳化硅产品,6.5kV及以上产品处于研发阶段。今年6月推出的3300V SiC MOSFET器件面向固态变压器(SST)等高压、高功率密度、高可靠性应用场景深度定制,目前已向核心客户送样验证。基于3300V器件优势形成的综合方案,可实现系统级BOM成本降低20%至35%,该器件填补了国内高压碳化硅器件在固态变压器核心功率级应用中的关键空白,是AI基础设施电源及高压宽禁带半导体领域的关键突破。而在光伏与储能领域,芯联动力在光储全功率段、全应用场景实现广泛使用,处于行业领先地位。

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來源:創業邦 · cyzone.cn