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SK海力士發布 3D FeNAND 模擬存內計算技術
SK海力士发布3D FeNAND模拟存内计算技术 3小时前
AI 導讀
SK海力士宣佈成功研發基於 3D FeNAND 的模擬存內計算（A-CiM）技術，相關成果已刊於 IEEE 期刊。該技術利用鐵電材料的極化狀態調控多級電流，並在儲存單元內直接執行乘積累加（MAC）運算，以減少數據搬運、提升 AI 計算能效與速度。相較採用電荷俘獲結構的傳統 3D NAND，FeNAND具非易失性、高密度及多態儲存優勢，更適合 AI 權重儲存。
正文
2026年10月15日，韩国SK海力士宣布成功研发基于3D FeNAND的模拟存内计算（A-CiM）技术，并已发表于IEEE期刊。该技术利用铁电材料极化状态实现多级电流调控，在存储单元内直接执行乘积累加（MAC）运算，显著减少数据搬运，提升AI计算能效与速度。相较传统3D NAND采用的电荷俘获结构，FeNAND具备非易失性、高密度及多态存储优势，更适配AI权重存储需求。
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