長江存儲計劃在武漢建第四座工廠，NAND超300層、國產設備採購目標至少60%並力爭70%

快科技11月6日消息，据报道，中国最大闪存芯片制造商长江存储计划在武汉建设第四座工厂，生产公司最先进的NAND芯片，存储单元垂直堆叠层数将超过300层，主要面向数据中心与AI应用。

新工厂的国产设备采购比例目标设定为至少60%，力争达到70%。作为对比，预计今年晚些时候投产的第三座工厂，中国供应商提供的设备占比约为50%以上。从50%到70%，意味着长江存储在核心制造环节的自主化进程正在加速。

工厂预计明年动工，目前长江存储仅与供应商进行初步讨论，尚未正式下达订单。这意味着70%是一个明确的战略目标，但距离实际落地仍有时间窗口。长江存储对此未予置评。

资料显示，新增国产设备的订单将集中在芯片生产的常规工艺环节，包括晶圆清洗、抛光和刻蚀。中国企业目前已经为长江存储供应大部分清洗和抛光设备，并在先进NAND所需的深层垂直结构设备领域取得进展。北方华创与中微半导体有望成为主要受益方。

值得一提的是，市场地位为长江存储提供了扩产的底气。据Omdia数据，长江存储在中国NAND市场的份额已从2025年的28%升至2026年第二季度的38.5%，超越三星成为中国最大的NAND制造商。

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责任编辑：红茶

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