英飛凌推出 XDP8HD40S-1 高壓熱插拔控制器
英飞凌推出XDP8HD40S-1高压热插拔控制器
英飛凌推出高壓熱插拔控制器 XDP8HD40S-1,為下一代 AI 伺服器電源架構在 ±400 V 和 800 VDC 環境下提供數碼電源路徑保護及監測。控制器結合數碼安全工作區(SOA)控制和主動保護功能,並支援 PMBus® 1.5 及黑盒事件記錄。其 12 位電流和電壓模數轉換器的電壓及電流測量精度約為 1%,功率測量精度約為 3%。
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出高压热插拔控制器XDP8HD40S-1,专为在±400 V和800 VDC环境下运行的下一代AI服务器电源架构中的数字电源路径保护和监测而设计。随着AI集群供电从48 V向更高机架功率等级演进,可靠的热插拔能力对保障系统不间断运行愈发关键。XDP8HD40S-1可支持电源模块、转换器、GPU及服务器子系统的安全连接与断开,同时维持系统完整性,进一步扩展了英飞凌涵盖硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的功率半导体产品组合,并将其延伸至可扩展AI基础设施所需的保护和监测层。
高压热插拔控制器XDP8HD40S-1专为下一代AI
架构中的数字电源路径保护和监测而设计
英飞凌科技高级副总裁、电源系统IC业务线负责人Magdalene Boebel表示:“未来AI数据中心的供电系统需要兼具高效率、高可靠性与全面的保护能力。XDP8HD40S-1让系统设计人员能够为±400 V和800 V的电源架构搭建可靠的热插拔方案,同时提供所需的监测与保护功能,最大限度提升服务器的正常运行时间与运行效率。”
XDP8HD40S-1专为一系列高压应用设计,包括双线800 V或±400 V中间总线转换器与GPU、1500 V中间总线转换器系统、高压机架与服务器供电、电池备用系统、削峰,以及400 V至800 V单侧/双侧热插拔方案。该器件兼容英飞凌的功率半导体产品组合,包括OptiMOS™ MOSFET与CoolSiC™ JFET,使设计人员能够使用与英飞凌在800 VDC AI数据中心参考设计中所应用的相同底层技术,搭建高效、坚固的保护级。
在更高的系统电压下运行,会增加控制浪涌电流以及保护基础设施免受瞬态事件影响的复杂度。XDP8HD40S-1将数字安全工作区(SOA)控制与可编程和预配置的主动保护功能结合在一起。搭配可变脉冲SOA控制模式(升压模式),该器件在保障功率开关安全运行的同时支持优化的启动行为。集成的栅极驱动器支持基于MOSFET与JFET组合的外部SiC共源共栅方案,可高效控制高压功率级。为进一步增强系统鲁棒性,该控制器集成浪涌抗扰保护,并支持通过可配置的1.5 A下拉电流实现功率开关的快速关断,助力在异常工况下保护AI计算基础设施。
XDP8HD40S-1支持宽广的工作电压范围,VDDB为4.5 V至24 V,VDDA为4.5 V至13.2 V,可与各类服务器及机架级电源系统相集成。为了实现系统管理和远程诊断,该控制器集成了PMBus® 1.5接口,并纳入增强的安全功能,以便与数据中心管理基础设施相集成。其内置的黑盒记录功能可捕捉关键事件信息,助力加快故障分析与系统调试。其他保护功能包括可编程输入和输出过压/欠压保护、外部温度传感器支持以及过温保护。
现代AI服务器平台对功耗和系统健康状况的实时可视化需求日益增长。XDP8HD40S-1通过12位电流和电压模数转换器应对此需求,电压测量精度约为1%,电流测量精度约为1%,功率测量精度约为3%,模拟功率监测报告精度为1.5%,并集成电能计量功能以持续监测系统。这些能力支持高密度AI计算平台中的系统优化、预测性维护与电源管理策略,与英飞凌此前面向800 V转48 V以及直接转换架构推出的参考设计形成互补。随着AI数据中心机架功耗的持续上升,此类架构正日益普及。
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