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CXMT計劃生產HBM3E，良率偏低
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2026年10月29日，TNW轉述Reuters報道，CXMT計劃生產HBM3E。Reuters引述兩名知情人士稱，CXMT的晶片良率為20%至30%，並預計在兩個月內開始有限量生產。作比較，SK Hynix的良率約為70%；消息人士又稱，CXMT的HBM3E測試表現較接近SK Hynix舊款HBM3，而非HBM3E。TNW表示，尚未獨立核實Reuters的報道。
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最新進展10月29日 04:04
CXMT預計兩個月內開始有限量生產HBM3E。報道時間線
沿着報道，瞭解事件的不同側面。
10月29日
- TNWCXMT 計劃生產 HBM3E，良率僅 20% 至 30%，Reuters 報道
Reuters 引述兩名知情人士報道，CXMT 計劃生產 HBM3E，晶片良率為 20% 至 30%，並預計兩個月內開始有限量生產。作比較，SK Hynix 良率約 70%；消息人士稱，CXMT 的 HBM3E 測試表現較接近 SK Hynix 舊款 HBM3，而非 HBM3E。TNW 表示尚未獨立核實該報道。
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