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憶阻器存算一體研發邁向晶片應用
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AI 綜述
2026年10月28日，清華大學高濱教授在對談中分享憶阻器存算一體的研發進展，指出相關工作已由器件研究走向晶片架構與應用。團隊在28 nm、4 MB嵌入式 RRAM 研究中實現10⁷次耐久性，並達到在125 ℃下相當於10年的資料保持能力；此外，團隊以約5%–10%的數碼計算補償模擬計算誤差。團隊亦在探索IGZO與 RRAM 三維集成，以及利用智能體和 AI 輔助晶片測試。這些工作涵蓋器件可靠性、計算誤差補償，以及後續集成與測試方向。
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最新進展10月28日 15:57
高濱教授最新分享團隊在嵌入式 RRAM 可靠性、誤差補償及三維集成等方面的進展。報道時間線
沿着報道，瞭解事件的不同側面。
10月28日
- 新浪科技【對話前沿專家】清華大學高濱教授談憶阻器存算一體如何從 0 到 1
清華大學高濱教授在對談中分享憶阻器存算一體由器件研究走向晶片架構與應用的進展。團隊在28 nm、4 MB嵌入式 RRAM 研究中實現10⁷次耐久性及125 ℃下對應10年的資料保持能力，並以約5%–10%的數碼計算補償模擬計算誤差。團隊亦在探索IGZO與 RRAM 三維集成，以及由智能體和 AI 輔助晶片測試。
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當前熱度 9·可比範圍峯值 10（10月28日 16:00）·近 24 小時可比範圍變化 –
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