三安SiC方案提升AIDC電源能效

三安光電以平均電阻率穩定至11mΩ•cm的低電阻SiC襯底，配合S²I-ARCP軟開關拓撲，推進AIDC電源能效提升。基於三安SiC MOSFET搭建的800V/15kW原型樣機，寬負載效率超過99.6%，並支援自然對流散熱；在30kHz/10kW工況下，器件温度降低約50°C。三安產品已向國內外頭部伺服器電源及數據中心基礎設施企業批量交貨。

三安光電以低電阻SiC襯底和S²I-ARCP軟開關拓撲，提升AIDC電源效率並降低器件温度。湖南三安的SiC襯底平均電阻率達11mΩ•cm；基於三安 SiC MOSFET搭建的800V/15kW原型樣機，寬負載效率超99.6%，並支持自然對流散熱。三安產品已向國內外頭部伺服器電源及數據中心基礎設施企業批量交貨。