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日月光推出 3D PowerSiP 封裝方案
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AI 綜述
2026年10月14日14:46，IT之家報道日月光半導體（ASE）推出基於 PowerSiP 平台的 3D 系統級封裝方案，透過垂直整合 VRM 縮短電流傳輸路徑，減少超過一半寄生佈線損耗。報道指出，高性能 AI SoC 功耗已超過 1000W，需在低於 1V 的電壓下傳輸超過 1000A 峯值電流，傳統橫向架構可能造成嚴重佈線損耗。15:13，DoNews 指方案於2026年10月13日推出，並補充其採用雙面電容、高縱橫比銅柱及高密度模塑集成技術，旨在提升高性能計算能效與封裝密度。
AI 根據報道生成 · 38 分鐘前更新
最新進展10月14日 15:13
後續報道補充，方案採用雙面電容、高縱橫比銅柱及高密度模塑集成技術。報道時間線
沿着報道，瞭解事件的不同側面。
10月14日
- DoNews日月光推出 3D PowerSiP 封裝方案，寄生損耗降低逾 50%
日月光於 2026年10月13日推出基於 PowerSiP 平台的 3D 系統級封裝方案，寄生布線損耗降低逾 50%。方案透過垂直整合 VRM 模組縮短電流路徑，面向功耗逾 1000W、需在 1V 以下承載逾 1000A 峯值電流的 AI SoC。新方案採用雙面電容、高縱橫比銅柱及高密度模塑集成技術，旨在提升高性能計算能效與封裝密度。
- IT之家日月光推出 3D 垂直整合 PowerSiP 方案，可減少超過一半寄生佈線損耗
日月光半導體（ASE）推出基於 PowerSiP 平台的 3D 系統級封裝方案，透過垂直整合 VRM 縮短電流傳輸路徑，減少超過一半寄生佈線損耗。日月光表示，高性能 AI SoC 功耗已突破 1000W，需以低於 1V 的電壓傳輸超過 1000A 峯值電流，傳統橫向架構可能造成嚴重佈線損耗。
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