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SK 海力士擬在美建 NAND 工廠換取大連設備許可
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AI 綜述
2026年10月15日報道稱，SK 海力士正考慮在美國興建 NAND 快閃記憶體工廠，目的是換取美國政府批准向其大連工廠引進更多美國製造的半導體設備。就大連工廠的設備安排，Solidigm 已申請出口許可，計劃在 2023 年建成的 Mod B 增設設備。SK 海力士表示，設備安裝工作仍在與美國政府協商，並須取得授權；公司目前不尋求擴大 Mod B 的產能。
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最新進展10月15日 22:38
SK 海力士正與美國政府協商大連 Mod B 設備安裝授權，並稱目前不尋求擴產。報道時間線
沿着報道，瞭解事件的不同側面。
10月15日
- IT之家SK 海力士擬在美國新建 NAND 工廠，以換取大連工廠引進更多美國設備的許可
SK 海力士正考慮在美國興建 NAND 快閃記憶體工廠，以換取美國政府批准向其大連工廠引進更多美國製造的半導體設備。Solidigm 已申請出口許可，擬在 2023 年建成的 Mod B 增設設備；SK 海力士表示安裝工作正與美國政府協商並須獲授權，目前不尋求擴大 Mod B 產能。
本事件熱度走勢
當前熱度 9·可比範圍峯值 10（10月15日 23:00）·近 24 小時可比範圍變化 –
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