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IBM Nanostack垂直堆疊晶體管架構
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2026年10月22日的報道指出，IBM Nanostack 是研究階段的晶體管架構，透過在 0.7 nm 節點垂直堆疊並錯開互補晶體管，以提高晶體管密度。IBM 稱，其密度接近自家較早 2 nm 技術的兩倍；性能最高提升 50% 或顯著改善能效，則屬預測。報道亦説明，0.7 nm 是製程世代標記，並非晶體管部件的實際尺寸。IBM 計劃於 2027 年第一季推出早期研發 PDK；製造成本、散熱管理及設計工具仍是挑戰。
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最新進展10月22日 12:42
IBM 計劃於 2027 年第一季推出早期研發 PDK；Nanostack 仍處於研究階段。報道時間線
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10月22日
- DEV CommunityIBM Nanostack 垂直堆疊互補晶體管，為晶片縮小開拓另一條路
IBM 的 Nanostack 是研究階段的晶體管架構，透過在 0.7 nm 節點垂直堆疊並錯開互補晶體管來提高密度。IBM 稱其晶體管密度接近自家較早 2 nm 技術的兩倍，性能最高提升 50% 或顯著改善能效則屬預測；0.7 nm 是製程世代標記，不代表晶體管部件的實際尺寸。IBM 計劃在 2027 年第一季推出早期研發 PDK，但製造成本、散熱管理及設計工具等仍是挑戰。
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