熱點事件持續更新
美光公佈 vHBM 記憶體路線圖
1 篇報道1 個報道來源1 小時前更新
先了解這件事
AI 綜述
2026年10月24日，美光公佈下一代 AI 記憶體路線圖，提出將 DRAM 堆疊在運算晶片上方的 vHBM 架構。首代產品的目標頻寬為 2TB/s，每比特能耗目標低於 1 皮焦耳，並計劃於 2028 年啟動量產。美光計劃在 2030 年前推出三代 vHBM，其中 vHBM3 鎖定 2030 年。報道指出，記憶體堆疊可能阻擋處理器散熱；vHBM 預計會與標準 HBM 並行使用。
AI 根據報道生成 · 1 小時前更新
最新進展10月24日 20:49
美光公佈 vHBM 路線圖，首代目標頻寬為 2TB/s，計劃於 2028 年啟動量產。報道時間線
沿着報道，瞭解事件的不同側面。
10月24日
- 新浪科技美光公開 vHBM 垂直高頻寬記憶體，目標頻寬達 2TB/s
美光公佈下一代 AI 記憶體路線圖，核心是將 DRAM 堆疊在運算晶片上方的 vHBM 架構，首代目標頻寬為 2TB/s。每比特能耗目標低於 1 皮焦耳，並計劃於 2028 年啟動量產；美光計劃在 2030 年前推出三代產品，vHBM3 鎖定 2030 年。內存堆疊可能阻擋處理器散熱，vHBM 預計會與標準 HBM 並行使用。
本事件熱度走勢
還沒有足夠的連續觀測數據，暫不繪製趨勢。