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台積電 A14 傳突破 SRAM 微縮停滯
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2026年10月27日，新浪科技報道稱，台積電 A14 工藝據傳可將高密度 6T SRAM 位元單元面積縮至 0.017 平方微米以下，突破約 8 年的微縮停滯。報道指，該尺寸較約 0.021 平方微米縮小超過 19%，台積電計劃於 2028 年量產 A14。若能實現，微縮可讓相同晶片面積配置更大快取；但實際收益仍取決於晶片設計、工藝良率、成本及功耗控制。
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最新進展10月27日 16:21
最新報道稱，A14 據傳可把高密度 6T SRAM 位元單元縮至 0.017 平方微米以下。報道時間線
沿着報道，瞭解事件的不同側面。
10月27日
- 新浪科技台積電 A14 工藝傳突破約 8 年 SRAM 微縮停滯，單元尺寸有望全球最小
台積電 A14 工藝據傳將高密度 6T SRAM 位單元面積縮至 0.017 平方微米以下，打破約 8 年的微縮停滯。台積電計劃於2028年量產 A14，位單元面積較約 0.021 平方微米縮小超過19%。微縮可讓相同晶片面積配置更大快取，但實際收益仍取決於芯片設計、工藝良率、成本和功耗控制。
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