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三星採用台積電 3 納米製程生產 NVIDIA HBM 基底裸片
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2026年10月18日，報道稱三星已接受 NVIDIA 的要求，將採用台積電 3 納米製程，為 NVIDIA 下一代定製 HBM NVHBM 生產基底裸片；核心裸片則採用代號 1c 的第六代 DRAM 製程。報道指出，統一製程要求旨在讓不同供應商以同一設計實現穩定一致的性能，並減少逐家驗證產品的工作量。報道未提及量產時間或其他進展。
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最新進展10月18日 22:51
三星接受 NVIDIA 要求，將以台積電 3 納米製程生產下一代 NVHBM 基底裸片。報道時間線
沿着報道，瞭解事件的不同側面。
10月18日
- IT之家三星將採用台積電 3nm 製程為 NVIDIA 生產下一代 HBM 基底裸片
三星接受 NVIDIA 要求，將採用台積電 3 納米製程為下一代定製 HBM NVHBM 生產基底裸片，核心裸片則採用代號 1c 的第六代 DRAM 製程。報道指，統一製程要求旨在讓不同供應商以同一設計實現穩定一致的性能，並減少逐家驗證產品的工作量。
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