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三星電子預計 2027 年 HBM 佔晶圓產能近 30%,標準 DRAM 供應將受擠壓
三星电子预计2027年HBM产能占比接近30%,将进一步挤压标准DRAM供给
AI 導讀
三星電子預計,到 2027 年,HBM 將佔 DRAM 晶片製造商總晶圓產能近 30%,高於目前約 20%。三星電子副總裁金泰宇表示,HBM 與標準 DRAM 共用晶圓產線,HBM 擴產會限制標準 DRAM 供應。多家機構預測全球伺服器 DRAM 供不應求至少持續至 2027 年,產能調整亦會影響消費級及傳統伺服器用記憶體價格走勢。
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