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三星預計HBM擴產擠壓標準DRAM供應
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2026年10月8日的報道指出，三星電子預計到2027年，HBM將佔DRAM晶片製造商總晶圓產能近30%，高於目前約20%。三星電子副總裁金泰宇表示，HBM與標準DRAM共用晶圓產線，因此HBM擴產會限制標準DRAM供應。多家機構預測，全球伺服器DRAM供不應求的情況至少持續至2027年；產能調整亦會影響消費級及傳統伺服器用記憶體的價格走勢。
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最新進展10月8日 16:41
三星預計到2027年HBM佔總晶圓產能近30%，並稱擴產會限制標準DRAM供應。報道時間線
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10月8日
- 中華網科技三星電子預計 2027 年 HBM 佔晶圓產能近 30%，標準 DRAM 供應將受擠壓
三星電子預計，到 2027 年，HBM 將佔 DRAM 晶片製造商總晶圓產能近 30%，高於目前約 20%。三星電子副總裁金泰宇表示，HBM 與標準 DRAM 共用晶圓產線，HBM 擴產會限制標準 DRAM 供應。多家機構預測全球伺服器 DRAM 供不應求至少持續至 2027 年，產能調整亦會影響消費級及傳統伺服器用記憶體價格走勢。
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