美光宣佈 G11 NAND 閃存：堆疊超 400 層，儲存密度約翻倍

2026年10月21日，美光在美国举行技术网络研讨会，宣布将于2027年下半年量产G11 NAND闪存。该产品跳过G10世代，采用晶圆对晶圆键合技术，堆叠层数超400层，存储密度为现有276层G9的约2倍，I/O速率提升至高1.5倍，数据传输能耗降低25%以上。后续将引入高迁移率材料以强化能效。美光同步推出两类AI数据中心级NAND设计：SLC架构GPU直连IOPS优化型及带宽优化型（类HBF定义）。

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。