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美光預告 G11 NAND，稱 2027 年下半年量產
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AI 綜述
10月22日10:05，IT之家報道美光預告 G11 NAND，採用晶圓對晶圓鍵合技術，堆疊超過400層，按面積計算的儲存密度約為276層 G9 NAND 的2倍；I/O速率最高可達1.5倍，數據傳輸能耗可減少25%以上，預計2027年下半年產能爬坡。10:19，DoNews報道美光宣佈 G11 NAND，稱產品跳過 G10 世代，並將於2027年下半年量產；報道亦提及美光推出兩類 AI 數據中心級 NAND 設計。早先報道稱2027年下半年產能爬坡，後續報道稱同一時段量產。
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最新進展10月22日 10:19
美光宣佈 G11 NAND 將於2027年下半年量產，並推出兩類 AI 數據中心級 NAND 設計。報道時間線
沿着報道，瞭解事件的不同側面。
10月22日
- DoNews美光宣佈 G11 NAND 閃存：堆疊超 400 層，儲存密度約翻倍
美光宣佈 G11 NAND 閃存將於2027年下半年量產，跳過 G10 世代並採用晶圓對晶圓鍵合技術。其堆疊超 400 層，儲存密度約為 276 層 G9 的 2 倍，I/O 速率最高提升至 1.5 倍，數據傳輸能耗降低 25% 以上。美光亦推出兩類 AI 數據中心級 NAND 設計。
- IT之家美光預告 G11 NAND：堆疊逾 400 層、密度約增至 2 倍，2027H2 產能爬坡
美光預告 G11 NAND 閃存，預計於 2027H2 產能爬坡。新產品採用晶圓對晶圓鍵合技術，堆疊超過 400 層，按面積計算的儲存密度約為現有 276 層 G9 NAND 的 2 倍。其 I/O 速率最高可達 1.5 倍，數據傳輸能耗可減少 25% 以上。
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