Power Integrations 亮相 OCP 全球峯會,以高壓氮化鎵助力下一代 AI 基礎設施
PI亮相OCP全球峰会,高压氮化镓助力下一代AI基础设施
Power Integrations 參加 2026 年 OCP 全球峯會,分享高壓氮化鎵技術,並以 NVIDIA 生態系統合作夥伴身份亮相 NVIDIA AI Factory MGX Ecosystem Wall。其 PowiGaN™ 技術由 1250V、1700V 拓展至最新推出的 2200V,為 800VDC 及未來更高電壓的 AI 數據中心電源架構提供更多可能。
日前,Power Integrations参加2026年OCP全球峰会,面向行业伙伴分享新一代业界领先的高压氮化镓技术,并共同探讨数据中心电源技术的发展方向。
峰会期间,PI出席 NVIDIA AI Factory招待会,并作为NVIDIA生态系统合作伙伴,亮相 NVIDIA AI Factory MGX Ecosystem Wall (合作伙伴展示墙)。
(图为 Power Integrations CEO Jennifer Lloyd(左三)与 NVIDIA 团队成员合影)
随着AI算力快速增长,数据中心对电源效率、功率密度以及更高电压供电架构提出了新的要求。Power Integrations也在持续拓展PowiGaN™技术的应用边界,从1250V、1700V到最新推出的2200V PowiGaN技术,不断将GaN推进至更高电压的应用领域,为800VDC及未来更高电压等级的AI数据中心电源架构提供更多可能。未来,PI将继续发挥高压氮化镓技术优势,为下一代AI基础设施提供高效、高功率密度的电源解决方案。
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