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Power Integrations亮相OCP展示高壓氮化鎵

1 篇報道1 個報道來源1 小時前更新

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AI 綜述

2026年10月23日的報道稱,Power Integrations參加2026年OCP全球峯會,分享高壓氮化鎵技術,並以NVIDIA生態系統合作夥伴身份亮相NVIDIA AI Factory MGX Ecosystem Wall。報道指出,PowiGaN™技術的電壓範圍由1250V、1700V拓展至最新推出的2200V。該技術為採用800VDC及未來更高電壓的AI數據中心電源架構提供更多可能。報道未交代其後續安排或其他進展。

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報道時間線

沿着報道,瞭解事件的不同側面。

10月23日
  1. 新浪科技
    Power Integrations 亮相 OCP 全球峯會,以高壓氮化鎵助力下一代 AI 基礎設施

    Power Integrations 參加 2026 年 OCP 全球峯會,分享高壓氮化鎵技術,並以 NVIDIA 生態系統合作夥伴身份亮相 NVIDIA AI Factory MGX Ecosystem Wall。其 PowiGaN™ 技術由 1250V、1700V 拓展至最新推出的 2200V,為 800VDC 及未來更高電壓的 AI 數據中心電源架構提供更多可能。

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