消息：NVIDIA 下代 Groq LPU 晶片轉向 3D 堆疊 DRAM，放棄大 SRAM 方案

消息 NVIDIA 下代 Groq LPU 芯片转向 3D 堆叠 DRAM，放弃大 SRAM 方案

AI 導讀

NVIDIA 下一代 Groq LPU AI 推理加速器晶片有望採用基於 TSV（硅通孔）工藝的 3D 堆疊 DRAM 方案。現時一代採用大容量 SRAM 快取設計，但 SRAM 容量較小、製程升級帶來的密度收益有限。

正文

IT之家 10 月 21 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称，NVIDIA（英伟达）的下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望采用基于 TSV（硅通孔）工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案。

消息 NVIDIA 下代 Groq LPU 芯片转向 3D 堆叠 DRAM，放弃大 SRAM 方案

当前一代的 Groq LPU 采用了大容量 SRAM 的缓存设计，提供快速解码输出。但 SRAM 有着容量较小、制程升级密度收益有限的问题，在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。

IT之家注意到，同样采用大 SRAM 技术路线的 Cerebras 此前已预告未来的 CS-6 将 3D 垂直集成 DRAM。

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來源：IT之家 · ithome.com