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Shindo Eng Lab 提出 GPU 與 HBM 垂直堆疊封裝
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AI 綜述
2026年10月19日，The Elec 報道，Shindo Eng Lab 提出一種以玻璃陶瓷中介層垂直堆疊 GPU 與 HBM 的 3D 晶片封裝架構：GPU 位於上方、HBM 位於下方，中介層厚約 200 μm，兩者以垂直導電通孔連接。架構在 GPU 上方及 HBM 下方配置液冷。Shindo Eng Lab 稱，可調熱膨脹特性配合雙面冷卻，有助緩解熱量集中及翹曲。公司已申請專利，正與約 10 間公司洽談，並向部分公司提供樣品。
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最新進展10月19日 18:10
Shindo Eng Lab 已申請專利，正與約 10 間公司洽談，並向部分公司提供樣品。報道時間線
沿着報道，瞭解事件的不同側面。
10月19日
- The ElecShindo Eng Lab 提出將 HBM 堆疊於 GPU 下方的 3D 晶片封裝架構
Shindo Eng Lab 提出以玻璃陶瓷中介層垂直堆疊 GPU 與 HBM 的 3D 封裝架構，GPU 在上、HBM 在下，中介層厚約 200 μm。垂直導電通孔連接兩晶片，並在 GPU 上方及 HBM 下方配置液冷；公司稱可調熱膨脹特性配合雙面冷卻，有助緩解熱量集中及翹曲。Shindo 已申請專利，正與約 10 間公司洽談，並向部分公司提供樣品。
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