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DRAM縮放受電容限制，堆疊成技術方向
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這篇報道談及 DRAM 縮放面對電容限制，以及可能的後續技術方向。報道指出，4F² 縮放以較小的記憶體單元面積換取更高位元密度，但電容蝕刻、填充及良率會更難控制。另一個方向是堆疊記憶體陣列；較可能先推出的方案，是在周邊電路上方堆疊陣列，而熱管理會成為設計限制。報道亦指出，若每位元成本下降放緩，軟件架構與 DRAM 市場經濟也會隨之改變。
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最新進展11月5日 03:18
較可能先推出的方案，是在周邊電路上方堆疊記憶體陣列。報道時間線
沿着報道，瞭解事件的不同側面。
11月5日
- DEV Community3D DRAM 與 4F² 縮放：電容成為瓶頸
DRAM 縮放正面臨電容限制，4F² 縮放以較小單元面積換取更高位元密度，卻令電容蝕刻、填充及良率更難控制。另一條路是堆疊記憶體陣列；較可能先推出的方案是在周邊電路上方堆疊陣列，但熱管理會成為設計限制。若每位元成本下降放緩，軟件架構與 DRAM 市場經濟也會隨之改變。
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